外延片作为激光器芯片的基石，其技术壁垒极高。厦门全磊光电通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，在基底上生长出具有发光功能的纳米级晶体层。

作为国内唯一稳定量产高性能激光器和探测器外延片的企业，公司首家实现25G DFB激光器/100 PIN探测器量产，打破国际巨头垄断，解决了该领域“卡脖子”问题。2024年，全磊光电成功研制出6英寸InP外延片，填补国内光通信领域高端大尺寸外延片缺失的空白，成为全球第二家掌握该技术的企业，直接对标国际顶尖水平。